主题：Exploring InAs/GaSb Compound Semiconductors for Topological Physics and Qubits

时间：2026年7月29日（周三）上午：11：00-12：00

地点：深圳技术大学B2-801会议室

演讲嘉宾：北京大学国际量子材料科学中心  杜瑞瑞教授

主讲人简介(About the speaker)：

杜瑞瑞，北京大学物理学院讲席教授。1978~1982年就读于复旦大学物理学专业，1990年在伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校获物理学博士学位。历任普林斯顿大学-贝尔实验室博士后研究员、犹他大学教授、莱斯大学教授，2015 年起任北京大学教授。2015~2020 年任国际量子材料中心主任。长期从事凝聚态物理实验研究，成果在分数量子霍尔效应、复合费米子，及其他二维电子体系领域包括拓扑绝缘体和激子物态具有重要影响。在Nature、Nature Phys.、Nature Elect.、Phys. Rev. Lett.等发表文章200余篇。研究兴趣为半导体物理、拓扑量子物理、材料、器件及与拓扑量子计算有关的基础问题。曾获美国斯隆研究奖、海外华人物理天文学会研究奖等。选为美国APS Fellow、AAAS Fellow。

讲座内容摘要：

The InAs/GaSb compound semiconductors are well-known industrial materials for applications in FIR imaging and quantumsensing. During the last two decades researchers have actively explored this material for condensed matter physics, in particular,its topological properties inherent in its unique invert- band structures when the two-dimensional electrons InAs (in InAs) and thecoupled with each other in the so-called bilayer heterosturctures. We will briefly introduce the quantum spinholes (in holes) areHall efect in InAs/GaSb bilayers, where the bulk of the material is an insulator but quantized conductivity is provided by a pair ofhelical edge states in which the spin is locked wth the propagating direction Starting from molecular beam epitaxy of InAs/GaSbwe wll describe the proposal for a planar QSH Superconductor/Ferromagnetic heterostructure, and the designing and processing of a topological Qubit in this platform.

集成电路与光电芯片学院

2026年7月27日